Скорость флеш-накопителя iPhone 6s в два раза быстрее чем у iPhone 6

Обозревателями ресурса AnandTech, которые стали одними из первых счастливчиков-обладателей нового iPhone 6s, проводятся тестирования аппаратов в бенчмарках. Довольно интересной и обсуждаемой пользователями темой является скорость флеш-накопителя новинок, ведь новые смартфоны Apple оснастила SSD-контроллерами, которыми оснащены ноутбуки MacBook.

Как было отмечено, в iPhone 6s разработчики воспользовались гибридным решением SLC/TLC для флеш-памяти по типу NAND с целью создания максимального быстродействия. В смартфоне, который подвергся тестированию специалистами AnandTech на борту было 64 Гб памяти, с произведенными в Hynix компонентами. 

Кроме того, на ресурсе AnandTech приводятся данные, чем примечательны NAND-решения по типу SLC/TLC. При этом можно отметить использование увеличенного объема кэш-памяти в результате чего производительность остается на стабильном уровне, а пользователи избегают проблем, которые зачастую свойственны TLC-компонентам. При осуществлении каждой записи данных, они первоначально попадают в SLC, затем происходит их перенаправление в TLC. Пока скорости TLC достаточно, краткосрочную пропускную способность ограничивает скорость кэша SLC. Подобные ситуации являются типичными в большинстве случаев при стандартном использовании.

При проведении тестов вышеупомянутый ресурс предоставил результаты касаемо скорости последовательного чтения памяти iPhone 6s Plus, которая в пределах 50% выше, чем, к примеру, у iPhone 6 Plus – это 402 Мб/с и 253 Мб/с, соответственно. Про скорость записи новой флагманской модели можно сказать, что она в два раза превышает предшествующую модель – 187 Мб/ и 87 Мб/с, соответственно.